casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / MUR190A R1G
codice articolo del costruttore | MUR190A R1G |
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Numero di parte futuro | FT-MUR190A R1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MUR190A R1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 900V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 75ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 900V |
Capacità @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AL, DO-41, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-204AL (DO-41) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUR190A R1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MUR190A R1G-FT |
1N4005GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4005GHR1G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4006G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4006G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4006G R1G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4006GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4006GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4006GHR1G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4007G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4007G R1G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC4005E-2TQ144I
Xilinx Inc.
LFE2-6E-6TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-2FGG256
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQG208I
Microsemi Corporation
10M40DCF484C8G
Intel
EP4CGX110CF23I7
Intel
10M40DAF256C7G
Intel
10AX022E4F27E3LG
Intel
XC5VLX85-2FFG676I
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-7FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation