casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / MUR190A R1G
codice articolo del costruttore | MUR190A R1G |
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Numero di parte futuro | FT-MUR190A R1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MUR190A R1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 900V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 75ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 900V |
Capacità @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AL, DO-41, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-204AL (DO-41) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUR190A R1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MUR190A R1G-FT |
1N4005GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4005GHR1G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4006G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4006G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4006G R1G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4006GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4006GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4006GHR1G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4007G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4007G R1G
Taiwan Semiconductor Corporation
A54SX16P-2TQG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC7K410T-2FBG676C
Xilinx Inc.
EP2AGX65DF25C5
Intel
5SGXMABN3F45I3N
Intel
5SGXMA5H2F35I3N
Intel
XCV50-5BG256I
Xilinx Inc.
A42MX09-TQG176I
Microsemi Corporation
LFEC20E-3FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7D6F31I7
Intel