casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / MUR190AHB0G
codice articolo del costruttore | MUR190AHB0G |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-MUR190AHB0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
MUR190AHB0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 900V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 75ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 900V |
Capacità @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AL, DO-41, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-204AL (DO-41) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUR190AHB0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MUR190AHB0G-FT |
1N4006G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4006G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4006G R1G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4006GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4006GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4006GHR1G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4007G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4007G R1G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4007GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4007GHR1G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC7A50T-L1CSG325I
Xilinx Inc.
APA600-CGS624M
Microsemi Corporation
M1A3PE3000-2FGG484
Microsemi Corporation
AT40K20LV-3DQC
Microchip Technology
A42MX24-PL84M
Microsemi Corporation
AGL250V2-FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-1300C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S40F780C6N
Intel
EPF10K30RC240-3
Intel
EP20K400ERC208-3
Intel