casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SR009HB0G
codice articolo del costruttore | SR009HB0G |
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Numero di parte futuro | FT-SR009HB0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
SR009HB0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 90V |
Corrente: media rettificata (Io) | 500mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 850mV @ 500mA |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 90V |
Capacità @ Vr, F | 65pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AL, DO-41, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-204AL (DO-41) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SR009HB0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SR009HB0G-FT |
HER105G R1G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER106G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER106G R1G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER107G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER107G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER107G R1G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER108G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER108G R1G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR160A B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR160A R1G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC7S100-1FGGA484C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FG256
Microsemi Corporation
LFE2M70E-6F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
AT6003-2AI
Microchip Technology
EP1S20F484I6N
Intel
XC2VP40-6FFG1152C
Xilinx Inc.
AT6003-2JC
Microchip Technology
10AX115S2F45I2LG
Intel
EPF10K100ABC356-3
Intel
EP1C12F324C6
Intel