casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / HER108G R1G
codice articolo del costruttore | HER108G R1G |
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Numero di parte futuro | FT-HER108G R1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HER108G R1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | - |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 75ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 1000V |
Capacità @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AL, DO-41, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-204AL (DO-41) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HER108G R1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HER108G R1G-FT |
1N4004G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4004G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4004G R1G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4004GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4004GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4004GHR1G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4005G R1G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4005GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4005GHR1G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4006G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC4005XL-3PQ100C
Xilinx Inc.
XA3SD1800A-4CSG484Q
Xilinx Inc.
A3PE1500-1FG484I
Microsemi Corporation
A54SX08A-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP2S15F484C4
Intel
EP4CE115F23C9L
Intel
EP3SE80F1152C3
Intel
XC2V1500-5BGG575C
Xilinx Inc.
EP2SGX30CF780C5N
Intel
EP4SGX230FF35C4N
Intel