casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / HER107G B0G
codice articolo del costruttore | HER107G B0G |
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Numero di parte futuro | FT-HER107G B0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HER107G B0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 75ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 800V |
Capacità @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AL, DO-41, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-204AL (DO-41) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HER107G B0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HER107G B0G-FT |
1N4003GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4003GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4003GHR1G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4004G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4004G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4004G R1G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4004GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4004GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4004GHR1G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4005G R1G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC4005E-2TQ144I
Xilinx Inc.
LFE2-6E-6TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-2FGG256
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQG208I
Microsemi Corporation
10M40DCF484C8G
Intel
EP4CGX110CF23I7
Intel
10M40DAF256C7G
Intel
10AX022E4F27E3LG
Intel
XC5VLX85-2FFG676I
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-7FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation