casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SI4752DY-T1-GE3
codice articolo del costruttore | SI4752DY-T1-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SI4752DY-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SkyFET®, TrenchFET® |
SI4752DY-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 25A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 43nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1700pF @ 15V |
Caratteristica FET | Schottky Diode (Body) |
Dissipazione di potenza (max) | 3W (Ta), 6.25W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI4752DY-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI4752DY-T1-GE3-FT |
SI4324DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4324DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4336DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4346DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4346DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4354DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4354DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4362BDY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4362BDY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4368DY-T1-E3
Vishay Siliconix
XCVU080-2FFVD1517E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG484I
Microsemi Corporation
5SGXMA5N2F40C2LN
Intel
5SGXMA7N3F45I3LN
Intel
5SGXEB6R3F43C2L
Intel
XC2VP7-7FF672C
Xilinx Inc.
XC7A12T-1CPG238C
Xilinx Inc.
XC7S25-2CSGA324I
Xilinx Inc.
LFE2M50SE-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation