casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SI4778DY-T1-E3
codice articolo del costruttore | SI4778DY-T1-E3 |
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Numero di parte futuro | FT-SI4778DY-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI4778DY-T1-E3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 8A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23 mOhm @ 7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±16V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 680pF @ 13V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.4W (Ta), 5W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI4778DY-T1-E3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI4778DY-T1-E3-FT |
SI4336DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4346DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4346DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4354DY-T1-E3
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SI4354DY-T1-GE3
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SI4362BDY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4362BDY-T1-GE3
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SI4368DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4384DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4384DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
XC2VP4-6FGG256C
Xilinx Inc.
XC4052XL-3HQ304C
Xilinx Inc.
XC2V250-6FGG456C
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A42MX36-PQ208I
Microsemi Corporation
M2GL090TS-1FGG676I
Microsemi Corporation
LFEC10E-4QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100QC208-3N
Intel
EP4SGX180FF35C2XN
Intel
EP1SGX25DF1020C6
Intel