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Vishay Siliconix SQS481ENW-T1_GE3

Name: SQS481ENW-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQS481ENW-T1_GE3
Price: 0.316352 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (436 reviews)

Numero parte MFG: SQS481ENW-T1_GE3

quantità disponibile: 17600 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.316352

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fabbricante: Vishay Siliconix

Breve descrizione: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® MOSFET P-CH 150V 4.7A 1212-8

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: SQS481ENW-T1_GE3.pdf

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SQS481ENW-T1_GE3 specificazioni

codice articolo del costruttore	SQS481ENW-T1_GE3
Numero di parte futuro	FT-SQS481ENW-T1_GE3
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
SQS481ENW-T1_GE3 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	150V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	4.7A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.095 Ohm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	385pF @ 75V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	62.5W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PowerPAK® 1212-8
Pacchetto / caso	PowerPAK® 1212-8
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SQS481ENW-T1_GE3 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	SQS481ENW-T1_GE3-FT

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