casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SQP120P06-6M7L_GE3
codice articolo del costruttore | SQP120P06-6M7L_GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SQP120P06-6M7L_GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SQP120P06-6M7L_GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | - |
Tecnologia | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | - |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Pacchetto / caso | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SQP120P06-6M7L_GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SQP120P06-6M7L_GE3-FT |
SI5481DU-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5482DU-T1-E3
Vishay Siliconix
SI5482DU-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5484DU-T1-E3
Vishay Siliconix
SI5484DU-T1-GE3
Vishay Siliconix
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Vishay Siliconix
SI5485DU-T1-GE3
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SI8416DB-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI8809EDB-T2-E1
Vishay Siliconix
SI8819EDB-T2-E1
Vishay Siliconix
M2GL025T-1VFG256I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-1
Intel
EPF10K130EFC484-1N
Intel
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Intel
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XC4VLX60-12FFG1148C
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XC5VLX30-1FFG676C
Xilinx Inc.
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Intel