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codice articolo del costruttore | SI5481DU-T1-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SI5481DU-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI5481DU-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22 mOhm @ 6.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50nC @ 8V |
Vgs (massimo) | ±8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1610pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.1W (Ta), 17.8W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® ChipFet Single |
Pacchetto / caso | PowerPAK® ChipFET™ Single |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI5481DU-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI5481DU-T1-GE3-FT |
PCFQ5P10W
MICROSS/On Semiconductor
PCFQ8P10W
MICROSS/On Semiconductor
PH7630DLX
Nexperia USA Inc.
PHL5830AL,115
NXP USA Inc.
PMCM440VNE/S500Z
Nexperia USA Inc.
PMCM650VNE/S500Z
Nexperia USA Inc.
PMF250XNEAX
Nexperia USA Inc.
PMF63UNEAX
Nexperia USA Inc.
PMPB100XPEAX
Nexperia USA Inc.
PMPB215ENEA/FX
Nexperia USA Inc.
XA6SLX45-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A42MX36-2BGG272I
Microsemi Corporation
M2GL090-FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-4FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL200F1517C2N
Intel
5SGXMA3K2F35I3N
Intel
XC5VSX50T-1FFG665C
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
MPM7128SQC100AC
Intel