casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SQM70060EL_GE3
codice articolo del costruttore | SQM70060EL_GE3 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-SQM70060EL_GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
SQM70060EL_GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 75A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.9 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 100nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5500pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 166W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D²PAK (TO-263) |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SQM70060EL_GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SQM70060EL_GE3-FT |
SIR494DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR496DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR638ADP-T1-RE3
Vishay Siliconix
SIR640ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR640DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR642DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR644DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR646DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR664DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR688DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
XC6SLX150T-2CSG484I
Xilinx Inc.
M2GL010-FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ256M
Microsemi Corporation
A3PN250-2VQ100
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40I3L
Intel
5SGXMA9N2F45C2LN
Intel
XC7VX690T-1FF1157I
Xilinx Inc.
XC4VLX160-10FF1148C
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1152I
Xilinx Inc.
XC2V1500-5FF896I
Xilinx Inc.