casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SIR644DP-T1-GE3
codice articolo del costruttore | SIR644DP-T1-GE3 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-SIR644DP-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SIR644DP-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 71nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3200pF @ 20V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 5.2W (Ta), 69W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SO-8 |
Pacchetto / caso | PowerPAK® SO-8 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIR644DP-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SIR644DP-T1-GE3-FT |
SI7446BDP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7448DP-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7448DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7452DP-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7452DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7454CDP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7454DDP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7456CDP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7456DDP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7457DP-T1-E3
Vishay Siliconix
XC3S200-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC4020XL-1PQ208C
Xilinx Inc.
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
10M40DCF256C7G
Intel
5SGSED8K2F40I2N
Intel
XC2V2000-5FF896I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
A40MX04-PQG100M
Microsemi Corporation
LFEC15E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX40GF1020I6
Intel