casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SIR638ADP-T1-RE3
codice articolo del costruttore | SIR638ADP-T1-RE3 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-SIR638ADP-T1-RE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® Gen IV |
SIR638ADP-T1-RE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.88 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 165nC @ 10V |
Vgs (massimo) | +20V, -16V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 9100pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 104W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SO-8 |
Pacchetto / caso | PowerPAK® SO-8 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIR638ADP-T1-RE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SIR638ADP-T1-RE3-FT |
SI7439DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7440DP-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7440DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7446BDP-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7446BDP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7448DP-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7448DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7452DP-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7452DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7454CDP-T1-GE3
Vishay Siliconix
XC6SLX45-3FG676C
Xilinx Inc.
XC4005L-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC2VP2-7FG456C
Xilinx Inc.
A42MX16-2PQ208I
Microsemi Corporation
A42MX16-PQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-9400C-5BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM5G-45F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED6K3F40C2N
Intel
LFEC1E-4Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C40F780C6N
Intel