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Advanced Linear Devices Inc. ALD1110ESAL

Name: ALD1110ESAL
Brand: Advanced Linear Devices Inc.
SKU: ALD1110ESAL
Price: 5.19888 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (54 reviews)

Numero parte MFG: ALD1110ESAL

quantità disponibile: 58640 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 5.19888

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Advanced Linear Devices Inc.

Breve descrizione: EPAD® MOSFET 2N-CH 10V 8SOIC

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFET - Array

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: ALD1110ESAL.pdf

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ALD1110ESAL specificazioni

codice articolo del costruttore	ALD1110ESAL
Numero di parte futuro	FT-ALD1110ESAL
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	EPAD®
ALD1110ESAL Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	2 N-Channel (Dual) Matched Pair
Caratteristica FET	Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)	10V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	500 Ohm @ 5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.01V @ 1µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2.5pF @ 5V
Potenza - Max	600mW
temperatura di esercizio	0°C ~ 70°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore	8-SOIC
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
ALD1110ESAL Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	ALD1110ESAL-FT

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