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Advanced Linear Devices Inc. ALD212900ASAL

Numero parte MFG
ALD212900ASAL
quantità disponibile
74470 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 3.204
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fabbricante
Advanced Linear Devices Inc.
Breve descrizione
EPAD®, Zero Threshold™ MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFET - Array
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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Numero di parte futuro FT-ALD212900ASAL
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie EPAD®, Zero Threshold™
ALD212900ASAL Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 10.6V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 80mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14 Ohm
Vgs (th) (Max) @ Id 10mV @ 20µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 30pF @ 5V
Potenza - Max 500mW
temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
ALD212900ASAL Peso Contattaci
Numero parte di ricambio ALD212900ASAL-FT

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