casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SQJA88EP-T1_GE3
codice articolo del costruttore | SQJA88EP-T1_GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SQJA88EP-T1_GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
SQJA88EP-T1_GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 30A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7 mOhm @ 8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1800pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 48W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SO-8 |
Pacchetto / caso | PowerPAK® SO-8 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SQJA88EP-T1_GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SQJA88EP-T1_GE3-FT |
2N6660JTXP02
Vishay Siliconix
2N6660JTXV02
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2N6661-2
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2N6661-E3
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2N6661JAN02
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2N6661JTVP02
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2N6661JTX02
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2N6661JTXL02
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2N6661JTXP02
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2N6661JTXV02
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A3P030-2QNG68I
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A1425A-1PQ100I
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XC4052XL-09HQ304C
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A3P125-2PQ208I
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A3P250L-VQG100I
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EP3CLS100F484C7
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EP2AGX125DF25C4N
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EP2AGX65DF25C5
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5CEBA5U19C8N
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EP1C20F324I7N
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