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Vishay Siliconix SQD35N05-26L-GE3

Name: SQD35N05-26L-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQD35N05-26L-GE3
Availability: InStock
Rating: 4.5 (372 reviews)

Numero parte MFG: SQD35N05-26L-GE3

quantità disponibile: 22130 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Vishay Siliconix

Breve descrizione: TrenchFET® MOSFET N-CH 55V 30A TO252

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: SQD35N05-26L-GE3.pdf

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SQD35N05-26L-GE3 specificazioni

codice articolo del costruttore	SQD35N05-26L-GE3
Numero di parte futuro	FT-SQD35N05-26L-GE3
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	TrenchFET®
SQD35N05-26L-GE3 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	30A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	18nC @ 5V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1175pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	50W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-252, (D-Pak)
Pacchetto / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SQD35N05-26L-GE3 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	SQD35N05-26L-GE3-FT

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