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Vishay Siliconix SQD23N06-31L_GE3

Numero parte MFG
SQD23N06-31L_GE3
quantità disponibile
15150 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.64152
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fabbricante
Vishay Siliconix
Breve descrizione
TrenchFET® MOSFET N-CH 60V 23A TO252
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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Numero di parte futuro FT-SQD23N06-31L_GE3
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie TrenchFET®
SQD23N06-31L_GE3 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 23A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 31 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 845pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 37W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore TO-252, (D-Pak)
Pacchetto / caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SQD23N06-31L_GE3 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio SQD23N06-31L_GE3-FT

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