casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SQJ412EP-T1_GE3
codice articolo del costruttore | SQJ412EP-T1_GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SQJ412EP-T1_GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
SQJ412EP-T1_GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 32A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.1 mOhm @ 10.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 120nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5950pF @ 20V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 83W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SO-8 |
Pacchetto / caso | PowerPAK® SO-8 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SQJ412EP-T1_GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SQJ412EP-T1_GE3-FT |
SUM50P10-42-E3
Vishay Siliconix
SUM60030E-GE3
Vishay Siliconix
SUM60N02-3M9P-E3
Vishay Siliconix
SUM60N10-17-E3
Vishay Siliconix
SUM70040E-GE3
Vishay Siliconix
SUM70060E-GE3
Vishay Siliconix
SUM70N03-09CP-E3
Vishay Siliconix
SUM70N04-07L-E3
Vishay Siliconix
SUM75N06-09L-E3
Vishay Siliconix
SUM75N15-18P-E3
Vishay Siliconix
LFXP3C-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C6N
Intel
10AX016C4U19I3SG
Intel
5SGSED6K2F40C2N
Intel
5CGXFC7B6M15I7N
Intel
EP4SGX530KH40C3NES
Intel
5SGXEA5K1F35I2N
Intel
XC6VLX365T-1FF1156I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HE-6BG332C
Lattice Semiconductor Corporation