casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SQD100N02-3M5L_GE3
codice articolo del costruttore | SQD100N02-3M5L_GE3 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-SQD100N02-3M5L_GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
SQD100N02-3M5L_GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5500pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 83W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-252AA |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SQD100N02-3M5L_GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SQD100N02-3M5L_GE3-FT |
SIHH21N60E-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIHH21N60EF-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIHH24N65E-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIHH24N65EF-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIHH26N60E-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIHH26N60EF-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIHH27N60EF-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI8851EDB-T2-E1
Vishay Siliconix
SIHP16N50C-E3
Vishay Siliconix
SIHP12N50E-GE3
Vishay Siliconix
XC3S50A-4TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-FGG256
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP3C40F484C7N
Intel
10M40SAE144I7G
Intel
5SGXEBBR1H43C2LN
Intel
LCMXO2-7000HE-4FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9C6F23I7N
Intel
EP20K200CB356C9
Intel
EPF8820AQC208-4AA
Intel