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Vishay Siliconix SI8851EDB-T2-E1

Name: SI8851EDB-T2-E1
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI8851EDB-T2-E1
Price: 0.214248 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (620 reviews)

Numero parte MFG: SI8851EDB-T2-E1

quantità disponibile: 90960 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.214248

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fabbricante: Vishay Siliconix

Breve descrizione: TrenchFET® MOSFET P-CH 20V 7.7A MICRO FOOT

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: SI8851EDB-T2-E1.pdf

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SI8851EDB-T2-E1 specificazioni

codice articolo del costruttore	SI8851EDB-T2-E1
Numero di parte futuro	FT-SI8851EDB-T2-E1
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	TrenchFET®
SI8851EDB-T2-E1 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	7.7A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	180nC @ 8V
Vgs (massimo)	±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	6900pF @ 10V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	660mW (Ta)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	Power Micro Foot® (2.4x2)
Pacchetto / caso	30-XFBGA
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SI8851EDB-T2-E1 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	SI8851EDB-T2-E1-FT

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