casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SIHH21N60EF-T1-GE3
codice articolo del costruttore | SIHH21N60EF-T1-GE3 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-SIHH21N60EF-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SIHH21N60EF-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 19A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 185 mOhm @ 11A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 86nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2035pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 174W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® 8 x 8 |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIHH21N60EF-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SIHH21N60EF-T1-GE3-FT |
SI3456BDV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3456CDV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3456CDV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3457BDV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3457BDV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3457CDV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3457CDV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3458DV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3459DV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3460DDV-T1-GE3
Vishay Siliconix