casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SPP80N06S2L-09
codice articolo del costruttore | SPP80N06S2L-09 |
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Numero di parte futuro | FT-SPP80N06S2L-09 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
SPP80N06S2L-09 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.5 mOhm @ 52A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 125µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 105nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3480pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 190W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-3-1 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SPP80N06S2L-09 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SPP80N06S2L-09-FT |
IPP80P03P405AKSA1
Infineon Technologies
IPP80P03P4L07AKSA1
Infineon Technologies
IPP80P04P405AKSA1
Infineon Technologies
IPP80P04P407AKSA1
Infineon Technologies
IPP80P04P4L04AKSA1
Infineon Technologies
IPP80P04P4L06AKSA1
Infineon Technologies
IPP80P04P4L08AKSA1
Infineon Technologies
IPP80R280P7XKSA1
Infineon Technologies
IPP90N04S402AKSA1
Infineon Technologies
IPP90N06S404AKSA1
Infineon Technologies
AT6010ALV-4AC
Microchip Technology
EX64-TQ100I
Microsemi Corporation
XC4005XL-3VQ100I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-1FGG484I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EFC484-2XN
Intel
5SGXEA5K3F40I3LN
Intel
EP4CE6E22C8N
Intel
LFEC6E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3H2F35I3LN
Intel