casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPP80P03P405AKSA1
codice articolo del costruttore | IPP80P03P405AKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPP80P03P405AKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
IPP80P03P405AKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 mOhm @ 80A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 253µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 130nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 10300pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 137W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-3-1 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPP80P03P405AKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPP80P03P405AKSA1-FT |
IPP60R165CPXKSA1
Infineon Technologies
IPP60R180C7XKSA1
Infineon Technologies
IPP60R190E6XKSA1
Infineon Technologies
IPP60R1K4C6XKSA1
Infineon Technologies
IPP60R230P6XKSA1
Infineon Technologies
IPP60R250CPXKSA1
Infineon Technologies
IPP60R280C6XKSA1
Infineon Technologies
IPP60R280CFD7XKSA1
Infineon Technologies
IPP60R280E6XKSA1
Infineon Technologies
IPP60R280P6XKSA1
Infineon Technologies
XC3S200-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC4020XL-1PQ208C
Xilinx Inc.
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
10M40DCF256C7G
Intel
5SGSED8K2F40I2N
Intel
XC2V2000-5FF896I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
A40MX04-PQG100M
Microsemi Corporation
LFEC15E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX40GF1020I6
Intel