casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPP80P04P407AKSA1
codice articolo del costruttore | IPP80P04P407AKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPP80P04P407AKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
IPP80P04P407AKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.7 mOhm @ 80A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 150µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 89nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6085pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 88W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-3-1 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPP80P04P407AKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPP80P04P407AKSA1-FT |
IPP60R1K4C6XKSA1
Infineon Technologies
IPP60R230P6XKSA1
Infineon Technologies
IPP60R250CPXKSA1
Infineon Technologies
IPP60R280C6XKSA1
Infineon Technologies
IPP60R280CFD7XKSA1
Infineon Technologies
IPP60R280E6XKSA1
Infineon Technologies
IPP60R280P6XKSA1
Infineon Technologies
IPP60R299CPXKSA1
Infineon Technologies
IPP60R330P6XKSA1
Infineon Technologies
IPP60R380C6XKSA1
Infineon Technologies
XC6SLX150T-2CSG484I
Xilinx Inc.
M2GL010-FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ256M
Microsemi Corporation
A3PN250-2VQ100
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40I3L
Intel
5SGXMA9N2F45C2LN
Intel
XC7VX690T-1FF1157I
Xilinx Inc.
XC4VLX160-10FF1148C
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1152I
Xilinx Inc.
XC2V1500-5FF896I
Xilinx Inc.