casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SPP08N80C3XK
codice articolo del costruttore | SPP08N80C3XK |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-SPP08N80C3XK |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
SPP08N80C3XK Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 8A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 650 mOhm @ 5.1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 470µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1100pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 104W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-3 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SPP08N80C3XK Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SPP08N80C3XK-FT |
IPP65R150CFDXKSA1
Infineon Technologies
IPP65R190C6XKSA1
Infineon Technologies
IPP65R190C7FKSA1
Infineon Technologies
IPP65R190CFDAAKSA1
Infineon Technologies
IPP65R280C6XKSA1
Infineon Technologies
IPP65R280E6XKSA1
Infineon Technologies
IPP65R310CFDAAKSA1
Infineon Technologies
IPP65R380C6XKSA1
Infineon Technologies
IPP65R380E6XKSA1
Infineon Technologies
IPP65R420CFDXKSA1
Infineon Technologies
XC3S700A-4FGG400C
Xilinx Inc.
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z1VQG100I
Microsemi Corporation
EP2S15F672C5
Intel
5SGSMD5K2F40C2N
Intel
XC5VLX110-3FF1153C
Xilinx Inc.
XC7A100T-1CSG324I
Xilinx Inc.
A42MX16-3PQ100I
Microsemi Corporation
EPF10K100EQC240-1X
Intel
EP20K160EQC208-1
Intel