casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPP65R150CFDXKSA1
codice articolo del costruttore | IPP65R150CFDXKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPP65R150CFDXKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
IPP65R150CFDXKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 22.4A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150 mOhm @ 9.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 900µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 86nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2340pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 195.3W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-3 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPP65R150CFDXKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPP65R150CFDXKSA1-FT |
IPP120N06S4H1AKSA1
Infineon Technologies
IPP120N06S4H1AKSA2
Infineon Technologies
IPP120N08S404AKSA1
Infineon Technologies
IPP120N10S403AKSA1
Infineon Technologies
IPP120N10S405AKSA1
Infineon Technologies
IPP120P04P404AKSA1
Infineon Technologies
IPP120P04P4L03AKSA1
Infineon Technologies
IPP12CN10N G
Infineon Technologies
IPP12CN10NGXKSA1
Infineon Technologies
IPP12CNE8N G
Infineon Technologies
LFEC3E-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX24-3PQ208
Microsemi Corporation
5SGXMA9N3F45I3N
Intel
XCS40-4BG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX16-3CSG324C
Xilinx Inc.
APA750-FGG676I
Microsemi Corporation
LFXP2-8E-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFX125EB-03F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC3B7U15C8N
Intel