casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SPP04N80C3XKSA1
codice articolo del costruttore | SPP04N80C3XKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-SPP04N80C3XKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
SPP04N80C3XKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.3 Ohm @ 2.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 240µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 570pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 63W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-3 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SPP04N80C3XKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SPP04N80C3XKSA1-FT |
IPF10N03LA G
Infineon Technologies
IPF13N03LA G
Infineon Technologies
IPFH6N03LA G
Infineon Technologies
SPD03N50C3ATMA1
Infineon Technologies
SPD03N60C3ATMA1
Infineon Technologies
SPD08N50C3ATMA1
Infineon Technologies
IRFP4668PBF
Infineon Technologies
IRFP064NPBF
Infineon Technologies
IRFP3206PBF
Infineon Technologies
IRFP7537PBF
Infineon Technologies
A1020B-VQG80I
Microsemi Corporation
XC6VLX75T-L1FFG484I
Xilinx Inc.
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE75F23C8L
Intel
XC5VLX50-3FF676C
Xilinx Inc.
AGL060V2-CS121
Microsemi Corporation
EP20K400ERC240-1
Intel
EPF10K10QI208-4
Intel
EPF10K30AQC208-3N
Intel