casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SPD03N50C3ATMA1
codice articolo del costruttore | SPD03N50C3ATMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-SPD03N50C3ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
SPD03N50C3ATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.2A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 Ohm @ 2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 135µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 350pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 38W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO252-3-1 |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SPD03N50C3ATMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SPD03N50C3ATMA1-FT |
SPI08N80C3
Infineon Technologies
SPI08N80C3XKSA1
Infineon Technologies
SPI100N03S2-03
Infineon Technologies
SPI100N03S2L-03
Infineon Technologies
SPI100N03S2L03
Infineon Technologies
SPI100N08S2-07
Infineon Technologies
SPI10N10
Infineon Technologies
SPI10N10L
Infineon Technologies
SPI11N60C3HKSA1
Infineon Technologies
SPI11N60C3XKSA1
Infineon Technologies
A54SX32-TQG144I
Microsemi Corporation
XC4013XL-09PQ208C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-1FGG256I
Microsemi Corporation
LFE5UM5G-45F-8BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3SE260H780I4LN
Intel
AGLP060V5-CS289
Microsemi Corporation
A54SX32A-2TQG100I
Microsemi Corporation
10AX090N4F40E3SG
Intel
10AX115N3F40I3SGES
Intel