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Infineon Technologies IRFP4668PBF

Name: IRFP4668PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFP4668PBF
Price: 6.496 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (484 reviews)

Numero parte MFG: IRFP4668PBF

quantità disponibile: 74500 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 6.496

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: HEXFET® MOSFET N-CH 200V 130A TO-247AC

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IRFP4668PBF.pdf

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IRFP4668PBF specificazioni

codice articolo del costruttore	IRFP4668PBF
Numero di parte futuro	FT-IRFP4668PBF
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HEXFET®
IRFP4668PBF Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	130A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.7 mOhm @ 81A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	241nC @ 10V
Vgs (massimo)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	10720pF @ 50V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	520W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-247AC
Pacchetto / caso	TO-247-3
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFP4668PBF Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IRFP4668PBF-FT

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