casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SPP04N60C3XKSA1
codice articolo del costruttore | SPP04N60C3XKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-SPP04N60C3XKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
SPP04N60C3XKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.5A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 950 mOhm @ 2.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 200µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 490pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 50W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-3 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SPP04N60C3XKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SPP04N60C3XKSA1-FT |
IPP60R750E6XKSA1
Infineon Technologies
IPP60R950C6XKSA1
Infineon Technologies
IPP65R045C7XKSA1
Infineon Technologies
IPP65R065C7XKSA1
Infineon Technologies
IPP65R074C6XKSA1
Infineon Technologies
IPP65R095C7XKSA1
Infineon Technologies
IPP65R099C6XKSA1
Infineon Technologies
IPP65R110CFDXKSA1
Infineon Technologies
IPP65R150CFDAAKSA1
Infineon Technologies
IPP65R150CFDXKSA1
Infineon Technologies
XCV50-6TQ144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-256HC-4SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-45F-8BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V5-VQ100
Microsemi Corporation
EPF10K100ABC600-1
Intel
5SGXMA5K1F40C2LN
Intel
XC4013E-2HQ208I
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FF672I
Xilinx Inc.
XC6SLX9-L1CPG196C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FGG144I
Microsemi Corporation