casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPP65R074C6XKSA1
codice articolo del costruttore | IPP65R074C6XKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPP65R074C6XKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
IPP65R074C6XKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Last Time Buy |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 57.7A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 74 mOhm @ 13.9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1.4mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3020pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 480.8W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-3 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPP65R074C6XKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPP65R074C6XKSA1-FT |
IPP120N06NGAKSA1
Infineon Technologies
IPP120N06S402AKSA1
Infineon Technologies
IPP120N06S402AKSA2
Infineon Technologies
IPP120N06S403AKSA1
Infineon Technologies
IPP120N06S403AKSA2
Infineon Technologies
IPP120N06S4H1AKSA1
Infineon Technologies
IPP120N06S4H1AKSA2
Infineon Technologies
IPP120N08S404AKSA1
Infineon Technologies
IPP120N10S403AKSA1
Infineon Technologies
IPP120N10S405AKSA1
Infineon Technologies
LFEC3E-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX24-3PQ208
Microsemi Corporation
5SGXMA9N3F45I3N
Intel
XCS40-4BG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX16-3CSG324C
Xilinx Inc.
APA750-FGG676I
Microsemi Corporation
LFXP2-8E-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFX125EB-03F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC3B7U15C8N
Intel