casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SPD50N03S2L06T
codice articolo del costruttore | SPD50N03S2L06T |
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Numero di parte futuro | FT-SPD50N03S2L06T |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
SPD50N03S2L06T Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.4 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 85µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 68nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2530pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 136W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO252-3 |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SPD50N03S2L06T Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SPD50N03S2L06T-FT |
IPD70N10S312ATMA1
Infineon Technologies
IPD70N10S3L12ATMA1
Infineon Technologies
IPD70R1K4CEAUMA1
Infineon Technologies
IPD70R1K4P7SAUMA1
Infineon Technologies
IPD70R2K0CEAUMA1
Infineon Technologies
IPD70R360P7SAUMA1
Infineon Technologies
IPD70R600CEAUMA1
Infineon Technologies
IPD70R600P7SAUMA1
Infineon Technologies
IPD70R900P7SAUMA1
Infineon Technologies
IPD70R950CEAUMA1
Infineon Technologies
XC3S400-4TQG144C
Xilinx Inc.
XC2V1500-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA450-BGG456
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQG100I
Microsemi Corporation
10M08SAU169A7G
Intel
5SGXEB5R3F43C3N
Intel
A42MX24-1TQG176
Microsemi Corporation
APA150-FGG144A
Microsemi Corporation
EP4SGX230DF29C3NES
Intel
EP20K1000CF33C7N
Intel