casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SPD08N50C3BTMA1
codice articolo del costruttore | SPD08N50C3BTMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-SPD08N50C3BTMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
SPD08N50C3BTMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 560V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7.6A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 4.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 350µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 750pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 83W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO252-3 |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SPD08N50C3BTMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SPD08N50C3BTMA1-FT |
IPD60R750E6ATMA1
Infineon Technologies
IPD60R750E6BTMA1
Infineon Technologies
IPD60R950C6
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IPD60R950C6ATMA1
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IPD65R1K4CFDATMA1
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