casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPD60R950C6
codice articolo del costruttore | IPD60R950C6 |
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Numero di parte futuro | FT-IPD60R950C6 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
IPD60R950C6 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.4A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 950 mOhm @ 1.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 130µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 280pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 37W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO252-3 |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD60R950C6 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPD60R950C6-FT |
IPD25CN10NGBUMA1
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