casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPD60R950C6
codice articolo del costruttore | IPD60R950C6 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-IPD60R950C6 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
IPD60R950C6 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.4A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 950 mOhm @ 1.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 130µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 280pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 37W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO252-3 |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD60R950C6 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPD60R950C6-FT |
IPD25CN10NGBUMA1
Infineon Technologies
IPD25CNE8N G
Infineon Technologies
IPD25N06S240ATMA1
Infineon Technologies
IPD25N06S240ATMA2
Infineon Technologies
IPD25N06S4L30ATMA1
Infineon Technologies
IPD26N06S2L35ATMA1
Infineon Technologies
IPD26N06S2L35ATMA2
Infineon Technologies
IPD30N03S2L07ATMA1
Infineon Technologies
IPD30N03S2L10ATMA1
Infineon Technologies
IPD30N03S2L20ATMA1
Infineon Technologies
A3P015-1QNG68
Microsemi Corporation
5SGXMA7N1F40C2N
Intel
5SGXEA7N1F45I2N
Intel
5SGXMB5R1F43C1N
Intel
EP4CGX15BF14I7N
Intel
XC6VLX195T-1FFG784I
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FF672I
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-6FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35I3N
Intel