casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPD65R1K4C6ATMA1
codice articolo del costruttore | IPD65R1K4C6ATMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPD65R1K4C6ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ C6 |
IPD65R1K4C6ATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.2A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 Ohm @ 1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 100µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.5nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 225pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 28W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO252-3 |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD65R1K4C6ATMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPD65R1K4C6ATMA1-FT |
IPD26N06S2L35ATMA2
Infineon Technologies
IPD30N03S2L07ATMA1
Infineon Technologies
IPD30N03S2L10ATMA1
Infineon Technologies
IPD30N03S2L20ATMA1
Infineon Technologies
IPD30N06S2-15
Infineon Technologies
IPD30N06S223ATMA1
Infineon Technologies
IPD30N06S223ATMA2
Infineon Technologies
IPD30N06S2L-13
Infineon Technologies
IPD30N06S2L23ATMA1
Infineon Technologies
IPD30N06S4L23ATMA1
Infineon Technologies
XA3S500E-4FTG256I
Xilinx Inc.
XA6SLX25T-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
APA300-BGG456M
Microsemi Corporation
A54SX16A-FGG256I
Microsemi Corporation
AT40K20-2AQC
Microchip Technology
EP2S30F672C4
Intel
10M40DCF672C7G
Intel
A42MX16-3PQ100
Microsemi Corporation
EP4CGX22CF19C6N
Intel