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Infineon Technologies SPB18P06PGATMA1

Name: SPB18P06PGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: SPB18P06PGATMA1
Price: 0.463848 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (106 reviews)

Numero parte MFG: SPB18P06PGATMA1

quantità disponibile: 30180 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.463848

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: SIPMOS® MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-263

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: SPB18P06PGATMA1.pdf

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SPB18P06PGATMA1 specificazioni

codice articolo del costruttore	SPB18P06PGATMA1
Numero di parte futuro	FT-SPB18P06PGATMA1
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	SIPMOS®
SPB18P06PGATMA1 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	18.7A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	130 mOhm @ 13.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	28nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	860pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	81.1W (Ta)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	D²PAK (TO-263AB)
Pacchetto / caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SPB18P06PGATMA1 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	SPB18P06PGATMA1-FT

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