casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / NP50P04KDG-E1-AY
codice articolo del costruttore | NP50P04KDG-E1-AY |
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Numero di parte futuro | FT-NP50P04KDG-E1-AY |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NP50P04KDG-E1-AY Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 100nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5100pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.8W (Ta), 90W (Tc) |
temperatura di esercizio | 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263 |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NP50P04KDG-E1-AY Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NP50P04KDG-E1-AY-FT |
IRL3714STRR
Infineon Technologies
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EP1K50TC144-3N
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XC6SLX9-L1FT256C
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EP4SGX360KF43C2
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XC7K70T-1FB484C
Xilinx Inc.
LFE3-35EA-7LFN484I
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LCMXO3LF-1300E-5MG121I
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5CGXFC7C6U19A7N
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EPF6024AQC240-3
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