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codice articolo del costruttore | NP36P04KDG-E1-AY |
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Numero di parte futuro | FT-NP36P04KDG-E1-AY |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NP36P04KDG-E1-AY Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 36A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17 mOhm @ 18A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 55nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2800pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.8W (Ta), 56W (Tc) |
temperatura di esercizio | 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263 |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NP36P04KDG-E1-AY Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NP36P04KDG-E1-AY-FT |
IRL3714STR
Infineon Technologies
IRL3714STRL
Infineon Technologies
IRL3714STRLPBF
Infineon Technologies
IRL3714STRR
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IRL3714STRRPBF
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IRL3714ZS
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IRL3714ZSPBF
Infineon Technologies
IRL3714ZSTRL
Infineon Technologies
IRL3714ZSTRLPBF
Infineon Technologies
IRL3714ZSTRR
Infineon Technologies
LFXP6E-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX16-N3FTG256C
Xilinx Inc.
AGLE3000V5-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P250-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C80F484C7N
Intel
10M50SCE144C8G
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80F1508C6
Intel
EPF8282ALC84-4
Intel
EPF10K130EQC240-3N
Intel