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Infineon Technologies BSS670S2LL6327HTSA1

Numero parte MFG
BSS670S2LL6327HTSA1
quantità disponibile
99740 pezzi
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fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
OptiMOS™ MOSFET N-CH 55V 540MA SOT-23
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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BSS670S2LL6327HTSA1 specificazioni

codice articolo del costruttore BSS670S2LL6327HTSA1
Numero di parte futuro FT-BSS670S2LL6327HTSA1
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie OptiMOS™
BSS670S2LL6327HTSA1 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 540mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 650 mOhm @ 270mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 2.7µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.26nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 75pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 360mW (Ta)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-23-3
Pacchetto / caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSS670S2LL6327HTSA1 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio BSS670S2LL6327HTSA1-FT

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