casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / SMUN5237DW1T1G
codice articolo del costruttore | SMUN5237DW1T1G |
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Numero di parte futuro | FT-SMUN5237DW1T1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SMUN5237DW1T1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 22 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 187mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SMUN5237DW1T1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SMUN5237DW1T1G-FT |
NSBA114EDXV6T5G
ON Semiconductor
NSBA114TDXV6T1
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NSBA114TDXV6T5
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NSBA114YDXV6T1
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NSBA123EDXV6T1
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NSBA123JDXV6T1
ON Semiconductor
NSBA123JDXV6T1G
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NSBA124EDXV6T1
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NSBA124EDXV6T5G
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NSBA124XDXV6T1
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