casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / NSBA124EDXV6T1
codice articolo del costruttore | NSBA124EDXV6T1 |
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Numero di parte futuro | FT-NSBA124EDXV6T1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NSBA124EDXV6T1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 22 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 500mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-563 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSBA124EDXV6T1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NSBA124EDXV6T1-FT |
NSBC143EDP6T5G
ON Semiconductor
NSBC143ZDP6T5G
ON Semiconductor
NSBA143ZDP6T5G
ON Semiconductor
NSBA114YDP6T5G
ON Semiconductor
NSBA123JDP6T5G
ON Semiconductor
NSBA114EDP6T5G
ON Semiconductor
NSBC123TDP6T5G
ON Semiconductor
NSBC114EPDP6T5G
ON Semiconductor
NSBC123JDP6T5G
ON Semiconductor
NSBC123JPDP6T5G
ON Semiconductor
AGLN015V2-QNG68I
Microsemi Corporation
AFS1500-2FG484I
Microsemi Corporation
M1AGL1000V2-FGG484I
Microsemi Corporation
EP1S20F484C6
Intel
A1020B-1PL44I
Microsemi Corporation
XC7K410T-1FF900I
Xilinx Inc.
A54SX08A-2FGG144
Microsemi Corporation
AGL250V2-FGG144I
Microsemi Corporation
10AX090N4F45I3SG
Intel
EP1S30F1020C7
Intel