casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / NSBA124EDXV6T1
codice articolo del costruttore | NSBA124EDXV6T1 |
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Numero di parte futuro | FT-NSBA124EDXV6T1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NSBA124EDXV6T1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 22 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 500mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-563 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSBA124EDXV6T1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NSBA124EDXV6T1-FT |
NSBC143EDP6T5G
ON Semiconductor
NSBC143ZDP6T5G
ON Semiconductor
NSBA143ZDP6T5G
ON Semiconductor
NSBA114YDP6T5G
ON Semiconductor
NSBA123JDP6T5G
ON Semiconductor
NSBA114EDP6T5G
ON Semiconductor
NSBC123TDP6T5G
ON Semiconductor
NSBC114EPDP6T5G
ON Semiconductor
NSBC123JDP6T5G
ON Semiconductor
NSBC123JPDP6T5G
ON Semiconductor
XC6SLX150-3FGG900C
Xilinx Inc.
XCS30-3PQ208C
Xilinx Inc.
XC2VP4-5FGG456I
Xilinx Inc.
AT40K20-2CQI
Microchip Technology
EP1SGX10CF672C5N
Intel
10M08SFE144C7G
Intel
EP4SGX360KF43I3N
Intel
XC6SLX16-L1CSG225C
Xilinx Inc.
AGL400V2-FGG144I
Microsemi Corporation
10M02DCV36I7G
Intel