casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / SMUN5115T1G
codice articolo del costruttore | SMUN5115T1G |
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Numero di parte futuro | FT-SMUN5115T1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SMUN5115T1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 202mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-70, SOT-323 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-70-3 (SOT323) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SMUN5115T1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SMUN5115T1G-FT |
MUN2111T3G
ON Semiconductor
MUN2130T1
ON Semiconductor
MUN2132T1
ON Semiconductor
MUN2133T1
ON Semiconductor
MUN2134T1
ON Semiconductor
MUN2136T1
ON Semiconductor
MUN2137T1
ON Semiconductor
MUN2211JT1
ON Semiconductor
MUN2211JT1G
ON Semiconductor
MUN2211T3
ON Semiconductor
EPF10K30ATI144-2N
Intel
LCMXO2-1200HC-5TG144IR1
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-2PQG100C
Microsemi Corporation
XC3S200-4PQ208C
Xilinx Inc.
AX500-1FG484
Microsemi Corporation
A3P250-1PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEA7N2F40I2L
Intel
XC7VX550T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
XC5VLX50-2FFG676I
Xilinx Inc.
LFE2M50E-7FN900C
Lattice Semiconductor Corporation