casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / MUN2130T1
codice articolo del costruttore | MUN2130T1 |
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Numero di parte futuro | FT-MUN2130T1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MUN2130T1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 1 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 1 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 3 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 230mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-59 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUN2130T1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MUN2130T1-FT |
NSVMMUN2217LT1G
ON Semiconductor
MUN2214T3G
ON Semiconductor
SMMUN2116LT1G
ON Semiconductor
SMMUN2215LT1G
ON Semiconductor
MMUN2131LT1G
ON Semiconductor
MUN2130T1G
ON Semiconductor
MUN2136T1G
ON Semiconductor
MUN2230T1G
ON Semiconductor
MMUN2130LT1G
ON Semiconductor
NSVMMUN2232LT3G
ON Semiconductor
XC3S50AN-4TQG144C
Xilinx Inc.
EX128-FTQG100
Microsemi Corporation
XC6SLX25-3FTG256C
Xilinx Inc.
M1A3P250-VQG100
Microsemi Corporation
EP2AGZ350FH29C4N
Intel
EP3SL340F1760I4L
Intel
5SGSMD5H2F35I3N
Intel
XC4VLX160-10FFG1148I
Xilinx Inc.
EPF10K30AQI208-3
Intel
EPF8820AQC208-3
Intel