casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / SM8S26A-E3/2D
codice articolo del costruttore | SM8S26A-E3/2D |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-SM8S26A-E3/2D |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PAR® |
SM8S26A-E3/2D Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
genere | Zener |
Canali unidirezionali | 1 |
Canali bidirezionali | - |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 26V |
Voltage - Breakdown (Min) | 28.9V |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 42.1V |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 157A |
Potenza - Peak Pulse | 6600W (6.6kW) |
Protezione della linea di alimentazione | No |
applicazioni | General Purpose |
Capacità @ frequenza | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-218AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-218AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SM8S26A-E3/2D Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SM8S26A-E3/2D-FT |
SM6S22AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S22AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S22HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S24A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S24AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S24AHE3J/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S24AHE3J_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S24AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S24HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S26A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX100T-3FGG676C
Xilinx Inc.
XC2S100-5PQG208I
Xilinx Inc.
AGLN020V2-UCG81
Microsemi Corporation
A42MX24-PQ208M
Microsemi Corporation
ICE5LP2K-CM36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
10M08SCE144C8G
Intel
5SGXEA7N3F45C4N
Intel
5SGXMABK2H40I3N
Intel
LFE3-70EA-8LFN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE40F29I8LN
Intel