casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / SM6S22AHE3/2D
codice articolo del costruttore | SM6S22AHE3/2D |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-SM6S22AHE3/2D |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, PAR® |
SM6S22AHE3/2D Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
genere | Zener |
Canali unidirezionali | 1 |
Canali bidirezionali | - |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 22V |
Voltage - Breakdown (Min) | 24.4V |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 35.5V |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 130A |
Potenza - Peak Pulse | 4600W (4.6kW) |
Protezione della linea di alimentazione | No |
applicazioni | Automotive |
Capacità @ frequenza | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-218AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-218AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SM6S22AHE3/2D Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SM6S22AHE3/2D-FT |
SM5S16AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S16HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S17A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S17AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S17AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S17HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S18-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S18A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S18AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S18AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO640E-3T100C
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC3E-3TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX16-FPQ208
Microsemi Corporation
A54SX16A-PQG208
Microsemi Corporation
EP3CLS100F484I7
Intel
10AX032H4F35E3SG
Intel
5SGXEA7K2F35I2N
Intel
XC5VLX50-3FFG1153C
Xilinx Inc.
XC5VSX50T-2FFG665I
Xilinx Inc.
XC7A75T-1CSG324I
Xilinx Inc.