casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / SM6S22AHE3_A/I
codice articolo del costruttore | SM6S22AHE3_A/I |
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Numero di parte futuro | FT-SM6S22AHE3_A/I |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, PAR® |
SM6S22AHE3_A/I Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Zener |
Canali unidirezionali | 1 |
Canali bidirezionali | - |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 22V |
Voltage - Breakdown (Min) | 24.4V |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 35.5V |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 130A |
Potenza - Peak Pulse | 4600W (4.6kW) |
Protezione della linea di alimentazione | No |
applicazioni | Automotive |
Capacità @ frequenza | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-218AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-218AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SM6S22AHE3_A/I Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SM6S22AHE3_A/I-FT |
SM5S16HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S17A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S17AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S17AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S17HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S18-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S18A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S18AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S18AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S18HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCV100-5FG256I
Xilinx Inc.
A54SX16P-VQG100I
Microsemi Corporation
EPF8282ATC100-2N
Intel
5SGXMA3K3F40I4N
Intel
5SGXEA9K1H40C2LN
Intel
XC7VX550T-3FFG1158E
Xilinx Inc.
XC4VLX25-10FFG676C
Xilinx Inc.
XCKU035-3SFVA784E
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-L1FFG1156I
Xilinx Inc.
LFXP2-30E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation