casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SK13B M4G
codice articolo del costruttore | SK13B M4G |
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Numero di parte futuro | FT-SK13B M4G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SK13B M4G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 500mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500µA @ 30V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AA (SMB) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 125°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SK13B M4G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SK13B M4G-FT |
S12KC V7G
Taiwan Semiconductor Corporation
S12MC V6G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1AB M4G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1AB R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1BB M4G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1BB R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1DB M4G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1DB R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1DBHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1DBHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel