casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / S1DBHM4G
codice articolo del costruttore | S1DBHM4G |
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Numero di parte futuro | FT-S1DBHM4G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
S1DBHM4G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | 12pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AA (SMB) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S1DBHM4G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S1DBHM4G-FT |
ESH3C V7G
Taiwan Semiconductor Corporation
ESH3D V6G
Taiwan Semiconductor Corporation
ESH3D V7G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS2A M4G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS2A R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS2B M4G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS2B R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS2D M4G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS2D R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS2F M4G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC3SD3400A-4CSG484LI
Xilinx Inc.
XC3S200AN-5FTG256C
Xilinx Inc.
XA3SD1800A-4FGG676Q
Xilinx Inc.
XC7S6-1FTGB196Q
Xilinx Inc.
A54SX72A-PQG208I
Microsemi Corporation
A54SX16P-VQG100I
Microsemi Corporation
XC4010XL-09BG256C
Xilinx Inc.
XC2V3000-6FFG1152C
Xilinx Inc.
5CEFA5U19C7N
Intel
10AX115U4F45I3SG
Intel