casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / S1DBHM4G
codice articolo del costruttore | S1DBHM4G |
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Numero di parte futuro | FT-S1DBHM4G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
S1DBHM4G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | 12pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AA (SMB) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S1DBHM4G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S1DBHM4G-FT |
ESH3C V7G
Taiwan Semiconductor Corporation
ESH3D V6G
Taiwan Semiconductor Corporation
ESH3D V7G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS2A M4G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS2A R5G
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HS2B M4G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS2B R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS2D M4G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS2D R5G
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HS2F M4G
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5SGXEA7N3F40C2L
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EP1K30QC208-2N
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