casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / S1DBHM4G
codice articolo del costruttore | S1DBHM4G |
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Numero di parte futuro | FT-S1DBHM4G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
S1DBHM4G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | 12pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AA (SMB) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S1DBHM4G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S1DBHM4G-FT |
ESH3C V7G
Taiwan Semiconductor Corporation
ESH3D V6G
Taiwan Semiconductor Corporation
ESH3D V7G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS2A M4G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS2A R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS2B M4G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS2B R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS2D M4G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS2D R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS2F M4G
Taiwan Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000ZE-1TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16A-1FG144
Microsemi Corporation
M2GL010TS-1FG484I
Microsemi Corporation
APA750-PQ208
Microsemi Corporation
EP3CLS70F484I7
Intel
10M08DAF484C7G
Intel
EP4SE530H40I3
Intel
XCV100-5BG256C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C5N
Intel