casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / S1DB M4G
codice articolo del costruttore | S1DB M4G |
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Numero di parte futuro | FT-S1DB M4G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
S1DB M4G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | 12pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AA (SMB) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S1DB M4G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S1DB M4G-FT |
ESH3B V7G
Taiwan Semiconductor Corporation
ESH3C V6G
Taiwan Semiconductor Corporation
ESH3C V7G
Taiwan Semiconductor Corporation
ESH3D V6G
Taiwan Semiconductor Corporation
ESH3D V7G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS2A M4G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS2A R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS2B M4G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS2B R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS2D M4G
Taiwan Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5N
Intel
EP1S10F484C6
Intel
A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel
EP3C55F780C7
Intel